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6英寸氮化鎵復合襯底

產品概述

6英寸氮化鎵復合襯底

GaN/ Al2O3 Substrates (6")

產品型號

Item

ST-ncY-Φ150

ST-ncZ-Φ150

ST-ncH-Φ150

尺寸

Size (mm)

Φ150.0±1.0 (6")

襯底結構

Substrate Structure

GaN on Sapphire(0001)

(Standard: SSP Option: DSP)

厚度

Thickness (μm)

4.5±0.5; 20±2;

Customized

導電類型

Conduction Type

Un-doped

N-type

High-doped N-type

電阻率 (300K)

Resistivity (Ω·cm

≤0.5

≤0.05

≤0.01

GaN厚度不均勻性

GaN Thickness Uniformity

≤±15% (6")

位錯密度

Dislocation Density(cm-2)

≤5×108

有效面積  

Useable Surface Area

90%

包裝

Package

Packaged in a class 100 clean room environment.

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